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Fabricant | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | G3R™, SiC | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 1,2kV | |
Courant du drain | 50A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 140A | |
Puissance de dissipation | 333W | |
Boîtier | TO247-3 | |
Tension entrée-source | -5...15V | |
Résistance en état de conduction | 40mΩ | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 106nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi |