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G3R40MT12D

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 50A; Idm: 140A; 333W


Fabricant: GeneSiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
G3R40MT12D
Référence TME:
G3R40MT12D

Spécification

Fabricant
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
G3R™, SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
50A
Courant du drain dans l'impulsion
140A
Puissance de dissipation
333W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée-source
-5...15V
Résistance en état de conduction
40mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
106nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut6.1 g
Certificates
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G3R40MT12D
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs