G3R75MT12D
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Fabricant: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Marque du fabricant:
G3R75MT12D
Référence TME:
G3R75MT12D
Spécification
Fabricant | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | G3R™, SiC | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 1,2kV | |
Courant du drain | 29A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 80A | |
Puissance de dissipation | 207W | |
Boîtier | TO247-3 | |
Tension entrée-source | -5...15V | |
Résistance en état de conduction | 75mΩ | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 54nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut6.07 g
Certificates
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* G3R75MT12DNombre de pièces (Multiplication: 1)
4 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 12.20 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 12.20 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 10.81 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 10.81 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 9.98 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 9.98 USD
Prix net pour les quantités de 120 pcs - 9.35 USDPrix brut pour les quantités de 120 pcs - 9.35 USD
Une fois les stocks épuisés, la quantité minimale sera modifiée
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs