GD10MPS12E
Diode: redressement Schottky; TO252-2; SiC; SMD; 1,2kV; 18A
Fabricant: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Marque du fabricant:
GD10MPS12E
Référence TME:
GD10MPS12E
Spécification
Fabricant | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
Type de diode | redressement Schottky | |
Boîtier | TO252-2 | |
La technologie | SiC | |
Montage | SMD | |
Tension inverse max. | 1,2kV | |
Courant de conduction | 18A | |
Construction de semi-conducteur | diode simple | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | MPS | |
Tension de conduction max. | 1,9V | |
Courant de conduction max. | 33A | |
Courant d'impulsion max. | 64A | |
Genre de la emballage | bande, rouleau |
Poids brut0.3 g
Certificates
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