磁気抵抗 - 定義

磁気抵抗 は、外部磁場の影響下で導電性材料の電気抵抗が変化する物理現象である。この効果は、一部の金属、半導体、磁性材料で発生し、伝導電子の運動軌跡が変化することに起因する。伝導電子は磁場の存在下、湾曲した経路に沿って移動し、有効拡散経路が増加する。

磁気抵抗現象は金属で初めて観測され、電流の流れる方向に垂直な磁場を印加すると電気抵抗が増加する。その強度は、試料の形状、磁場の強さ、材料の電子的性質に依存する。古典的な用語では、磁気抵抗は、電荷キャリアの経路を湾曲させ、その散逸を増大させるローレンツ力の結果として説明される。

その他にも、薄膜強磁性材料に見られる異方性磁気抵抗（AMR）や、磁気記録技術に革命をもたらしたギガンティック磁気抵抗（GMR）など、さまざまな磁気抵抗のバリエーションが技術的に用いられている。GMRの場合、抵抗の変化ははるかに大きく、隣接する層の磁気モーメントの相対的な向きに依存する。これにより、精密な磁場センサーや最新のデータ読み出しヘッドの開発が可能になった。

磁気抵抗現象は、その他のセンサーの中でも、位置センサー、エンコーダ、速度測定装置、MRAMなどに利用されており、抵抗値の変化によりデータの二値表現が可能になっている。](/jp/ja/news/library-articles/page/69408/) 磁気抵抗測定構造は、磁場（[）に対する感度が高く、サイズが小さいため、マイクロシステムや家電製品に応用されている。新しい磁気抵抗材料の研究は、量子現象をも取り込み、スピントロニクスや次世代のハイブリッド回路の開発につながっている。

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