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単接合トランジスタ( 、単接合トランジスタ、UJT)は、n型(まれにp型)の半導体材料に非対称に埋め込まれた単一のp-n接合 の特性に基づいて動作する半導体素子である。 従来のバイポーラトランジスタやユニポーラトランジスタとは異なり、UJTは増幅器として機能せず、主に発電機、トリガ回路、およびリラクゼーション発振器における制御素子として使用される。
UJTの構造は、1つのp-n接合と、B1およびB2(ベース)と指定される2つのn型層の端、およびp型エミッタ電極(E)で構成されています。 単接合トランジスタの特徴は、特定の動作範囲内で負の動的抵抗が存在することであり、これにより、デジタル回路やアナログ回路において電圧パルスの生成やスイッチング制御が可能になります。 しきい電圧を超えると、エミッタ電流が接合部を横切るキャリアのアバランシェを引き起こし、エミッタとB1ベース間の電圧が急激に低下します。この現象は、サイリスタのトリガーや周期波形の生成に利用されます。
UJTは主に、単純なタイミング回路、ランプ波やパルス発生器、および位相制御や電力制御回路で使用されます。現代のアプリケーションでは集積回路やマイクロコントローラーに取って代わられつつありますが、そのシンプルな設計、低消費電力、そして広い温度範囲での動作能力により、複雑性の限られたシステムにおいては依然として不可欠な部品となっています。 UJTの動作に関連するパラメータには、しきい値電圧、η係数(構造内の分圧特性を表す)、およびベース間の抵抗値などがある。
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