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제조사 | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
반도체 모듈 종류 | MOSFET 트랜지스터 | ||
반도체 구조 | 다이오드 / 트랜지스터 | ||
누극-원극전압 | 1kV | ||
누극 전류 | 110A | ||
사례 | SP6C | ||
토폴로지 | 단일 트랜지스터 + 직렬 다이오드 - 병렬 다이오드 | ||
전기 장착 | 나사, FASTON 커넥터 | ||
전도 저항 | 78mΩ | ||
펄스 누극 전류 | 580A | ||
전력 소모 | 3.25kW | ||
기술 | POWER MOS 7® | ||
게이트- 전원 전압 | ±30V | ||
기계적 장착 | 나사 |