APTM10DUM02G
모듈; 트랜지스터/트랜지스터,공동 출처; 100V; 370A; SP6C; 토폴로지: MOSFET x2; Idm: 1900A
제조자: MICROCHIP TECHNOLOGY
제조업체 부품 번호:
APTM10DUM02G
TME 기호:
APTM10DUM02G
사양
제조사 | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
반도체 모듈 종류 | MOSFET 트랜지스터 | ||
반도체 구조 | 트랜지스터/트랜지스터, 공동 출처 | ||
누극-원극전압 | 100V | ||
누극 전류 | 370A | ||
사례 | SP6C | ||
토폴로지 | MOSFET x2 | ||
전기 장착 | 나사, FASTON 커넥터 | ||
전도 저항 | 2.5mΩ | ||
펄스 누극 전류 | 1900A | ||
전력 소모 | 1.25kW | ||
기술 | POWER MOS 5® | ||
게이트- 전원 전압 | ±30V | ||
기계적 장착 | 나사 |
총 중량300 g
인증서
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* APTM10DUM02G개 번호 (다수: 4)
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