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B2M030120N

모듈; 단일 트랜지스터; 1.2kV; 47A; SOT227B; 나사; 극화: 단극의; Idm: 151A; 223W; SiC

제조자: BASiC SEMICONDUCTOR

제조업체 부품 번호:
B2M030120N
TME 기호:
B2M030120N

사양

제조사
BASiC SEMICONDUCTOR
반도체 모듈 종류
MOSFET 트랜지스터
반도체 구조
단일 트랜지스터
누극-원극전압
1.2kV
누극 전류
47A
사례
SOT227B
전기 장착
나사
극화
단극의
전도 저항
50mΩ
펄스 누극 전류
151A
전력 소모
223W
기술
SiC
채널 유형
향상된
게이트- 전원 전압
-4...18V
기계적 장착
나사
반도체 소자의 특징
  • integrated anti-parallel diode
  • Kelvin 터미널
총 중량1 g
인증서

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B2M030120N
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