MSCSM120AM042CD3AG
모듈; SiC 다이오드/트랜지스터; 1.2kV; 395A; D3; 토폴로지: MOSFET 하프 브리지 + 병렬 다이오드
제조자: MICROCHIP TECHNOLOGY
제조업체 부품 번호:
MSCSM120AM042CD3AG
TME 기호:
MSCSM120AM042CD3AG
사양
제조사 | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
반도체 모듈 종류 | MOSFET 트랜지스터 | ||
반도체 구조 | SiC 다이오드/트랜지스터 | ||
누극-원극전압 | 1.2kV | ||
누극 전류 | 395A | ||
사례 | D3 | ||
토폴로지 | MOSFET 하프 브리지 + 병렬 다이오드 | ||
전기 장착 | 나사, FASTON 커넥터 | ||
전도 저항 | 5.2mΩ | ||
펄스 누극 전류 | 990A | ||
전력 소모 | 2031W | ||
기술 | SiC | ||
기계적 장착 | 나사 |
총 중량350 g
인증서
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* MSCSM120AM042CD3AG개 번호 (다수: 2)
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