GAP3SLT33-214
Diodo: rectificador de barrera Schottky; DO214; SiC; SMD; 3,3kV
El productor: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Denominación de fabricante:
GAP3SLT33-214
Símbolo TME:
GAP3SLT33-214
Especificación
Fabricante | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de diodo | rectificador de barrera Schottky | |
Carcasa | DO214 | |
Tecnología | SiC | |
Montaje | SMD | |
Tensión de retorno máx. | 3,3kV | |
Corriente conductiva | 0,3A | |
Estructura del semiconductor | diodo individual | |
Corriente conductiva máx. | 1,15V | |
Corriente en impulso max. | 1A | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta |
Peso bruto0.1 g
Certificados
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* GAP3SLT33-214Número de unidades (Multiplicidad: 2 500)
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Precio neto para cantidades a partir de 2500 und - 13.40 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 2500 und - 13.40 USD