GD02MPS12E
Diodo: rectificador de barrera Schottky; TO252-2; SiC; SMD; 1,2kV
El productor: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Denominación de fabricante:
GD02MPS12E
Símbolo TME:
GD02MPS12E
Especificación
Fabricante | GeneSiC SEMICONDUCTOR | ||
Tipo de diodo | rectificador de barrera Schottky | ||
Carcasa | TO252-2 | ||
Tecnología | SiC | ||
Montaje | SMD | ||
Tensión de retorno máx. | 1,2kV | ||
Corriente conductiva | 2A | ||
Estructura del semiconductor | diodo individual | ||
Propiedades de elementos semiconductores | MPS | ||
Corriente conductiva máx. | 1,5V | ||
Corriente en impulso max. | 16A | ||
Clase de empaquetado | bobina, cinta |
Peso bruto0.3 g
Certificados
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* GD02MPS12ENúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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