GD10MPS12H
Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 16A
El productor: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Denominación de fabricante:
GD10MPS12H
Símbolo TME:
GD10MPS12H
Especificación
Fabricante | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de diodo | rectificador de barrera Schottky | |
Tecnología | SiC | |
Montaje | THT | |
Tensión de retorno máx. | 1,2kV | |
Corriente conductiva | 16A | |
Estructura del semiconductor | diodo individual | |
Propiedades de elementos semiconductores | MPS | |
Carcasa | TO247-2 | |
Corriente conductiva máx. | 1,9V | |
Corriente conductiva máx. | 33A | |
Corriente en impulso max. | 64A | |
Clase de empaquetado | tubo |
Peso bruto6 g
Certificados
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* GD10MPS12HNúmero de unidades (Multiplicidad: 600)
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