GD2X100MPS06N
Módulo: diodos; doble independencia; 650V; If: 108Ax2; SOT227B
El productor: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Denominación de fabricante:
GD2X100MPS06N
Símbolo TME:
GD2X100MPS06N
Especificación
Fabricante | GeneSiC SEMICONDUCTOR | ||
Tipo de módulo semiconductor | diodos | ||
Estructura del semiconductor | doble independencia | ||
Tensión de retorno máx. | 650V | ||
Corriente conductiva | 108A x2 | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Corriente conductiva máx. | 1,8V | ||
Corriente en impulso max. | 0,44kA | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Corriente conductiva máx. | 231A | ||
Montaje mecánico | atornillado | ||
Propiedades de elementos semiconductores | MPS | ||
Clase de empaquetado | tubo | ||
Tecnología | SiC | ||
Tiempo de disponibilidad | 10ns |
Peso bruto35.52 g
Certificados
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* GD2X100MPS06NNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 39.20 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 39.20 USD
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Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und