GD2X30MPS12N
Módulo: diodos; doble independencia; 1,2kV; If: 30Ax2; SOT227B
El productor: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Denominación de fabricante:
GD2X30MPS12N
Símbolo TME:
GD2X30MPS12N
Especificación
Fabricante | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
Tipo de módulo semiconductor | diodos | |
Estructura del semiconductor | doble independencia | |
Tensión de retorno máx. | 1,2kV | |
Corriente conductiva | 30A x2 | |
Carcasa | SOT227B | |
Corriente conductiva máx. | 1,5V | |
Corriente en impulso max. | 0,24kA | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Corriente conductiva máx. | 60A | |
Montaje mecánico | atornillado | |
Propiedades de elementos semiconductores | MPS | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Tecnología | SiC | |
Tiempo de disponibilidad | 10ns |
Peso bruto28 g
Certificados
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