Definición del diodo de Gunn
Definición del diodo de Gunn
El Diodo Gunn es un dispositivo semiconductor utilizado principalmente como fuente de radiación de microondas. Pertenece al grupo de diodos similares a transistores, pero su funcionamiento no se basa en la clásica unión p-n , sino en el fenómeno de resistencia dinámica negativa en un semiconductor homogéneo , como el arseniuro de galio (GaAs) o el fosfuro de indio (InP). Este efecto fue descrito en 1963 por John Gunn, que da nombre al elemento.
El fenómeno Gunn se basa en el hecho de que, en determinadas condiciones de voltaje, algunos de los portadores de carga se desplazan a una banda de energía con una masa efectiva mayor, lo que provoca una disminución de la movilidad y la aparición de zonas de mayor resistencia, los llamados dominios de alto campo eléctrico. Un dominio de este tipo recorre la estructura semiconductora, generando oscilaciones de tensión con frecuencias de varios a decenas de gigahercios. Este fenómeno se produce en estructuras sin uniones en las que se han utilizado capas de dopaje y geometrías de contacto adecuadas.
Los diodos de Gunn se utilizan en generadores de microondas, radares , sistemas de comunicación y sistemas de medición. Tiene la ventaja de un diseño relativamente sencillo y la capacidad de funcionar en una amplia banda de frecuencias. A menudo se integra con un resonador de microondas para lograr oscilaciones estables a una frecuencia específica. Debido a sus propiedades no lineales, este diodo no se utiliza como elemento rectificador clásico, sino como generador activo.
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