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[La Memoria Estática De Acceso Aleatorio (SRAM) es un tipo de memoria semiconductora de libre acceso](/mx/es/news/library-articles/page/69358/) efímera que almacena datos de forma invariable mientras recibe alimentación. A diferencia de la memoria dinámica (DRAM), la SRAM no requiere el refresco periódico del contenido de las celdas de memoria porque la información se almacena en forma de estados lógicos estables de circuitos biestables, normalmente formados por seis transistores.
Como resultado de su diseño, la SRAM se caracteriza por tiempos de acceso muy rápidos y altas velocidades de funcionamiento, lo que la hace especialmente adecuada para aplicaciones que requieren una lectura y escritura de datos a la velocidad del rayo. Por este motivo, se utiliza, entre otras cosas, como caché en microprocesadores, búferes de datos y registros internos. Su estructura también proporciona una mayor tolerancia a los fallos y una menor complejidad de controlador en comparación con la memoria dinámica.
Técnicamente, cada celda SRAM funciona como un flip-flop biestable que puede mantener uno de dos estados lógicos sin necesidad de regeneración mientras se mantenga la tensión de alimentación. La falta de necesidad de refresco de datos contribuye a la simplicidad de los circuitos de control, pero al mismo tiempo aumenta el área de una sola célula, lo que limita la densidad de empaquetamiento y la capacidad de la memoria en relación con la DRAM.
La SRAM es una memoria efímera, lo que significa que pierde toda la información almacenada cuando se le retira la alimentación. Sin embargo, esta tecnología tiene la ventaja de consumir poca energía en estado de reposo y tener acceso inmediato a los datos, lo que la hace ideal para sistemas en los que la velocidad y la fiabilidad son importantes. Debido a su mayor coste de fabricación y al mayor tamaño de las unidades, la SRAM no se utiliza como memoria principal, sino como componente especializado de apoyo al procesador y a los circuitos digitales de alta velocidad.
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