APT50GT120JRDQ2
Módulo: IGBT; transístor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B
Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY
Referência do Fabricante:
APT50GT120JRDQ2
Símbolo TME:
APT50GT120JRDQ2
Especificação
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo de módulo semicondutor | IGBT | |
Estrutura do semicondutor | transístor individual | |
Tensão máxima inversa | 1,2kV | |
Corrente do coletor | 50A | |
Caixa | SOT227B | |
Montagem elétrica | roscado | |
Tensão porta - emissor | ±30V | |
Corrente do coletor no impulso | 150A | |
Tecnologia | NPT | |
Espécie de embalagem | tubo | |
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto30 g
Certificados
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