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Fabricante	MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semicondutor	transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor	díodo SiC/transístor
Tensão dreno-fonte	1,2kV
Corrente de dreno	86A
Caixa	SP6
Topologia	transístor simples + díodo em série + díodo paralelo
Montagem elétrica	roscado
Resistência no estado de condução	0,12Ω
Corrente de dreno em impulso	464A
Potência dissipada	3,29kW
Tecnologia	POWER MOS 7®, SiC
Tensão descarga-fonte	±30V
Montagem mecânica	roscado

APTM120U10SCAVG

Módulo; díodo SiC/transístor; 1,2kV; 86A; SP6; roscado; Idm: 464A

Especificação

A Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. é importador de produtos desta marca