IXFN170N30P
Módulo; transístor individual; 300V; 138A; SOT227B; roscado; 890W
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
IXFN170N30P
Símbolo TME:
IXFN170N30P
Especificação
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | ||
Estrutura do semicondutor | transístor individual | ||
Tensão dreno-fonte | 300V | ||
Corrente de dreno | 138A | ||
Caixa | SOT227B | ||
Montagem elétrica | roscado | ||
Polarização | unipolar | ||
Resistência no estado de condução | 18mΩ | ||
Corrente de dreno em impulso | 500A | ||
Potência dissipada | 890W | ||
Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ | ||
Espécie de canal | enriquecido | ||
Carga da porta | 258nC | ||
Tempo de prontidão | 200ns | ||
Tensão descarga-fonte | ±30V | ||
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto29.8 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor modules IXYS,
* IXFN170N30PQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 43.95 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 43.95 USD
Preço líquido para as quantidades de 3 itens - 42.59 USDPreço bruto para as quantidades de 3 itens - 42.59 USD
Preço líquido para as quantidades de 10 itens - 39.76 USDPreço bruto para as quantidades de 10 itens - 39.76 USD
Método de embalagem do fabricanteTubo = 10 itens