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Fabricante	MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semicondutor	transístor MOSFET
Estrutura do semicondutor	díodo SiC/transístor
Tensão dreno-fonte	1,2kV
Corrente de dreno	268A
Caixa	SP3F
Topologia	meia ponte MOSFET + díodos paralelos, termístor NTC
Montagem elétrica	Press-in PCB
Resistência no estado de condução	7,8mΩ
Corrente de dreno em impulso	675A
Potência dissipada	1,409kW
Tecnologia	SiC
Montagem mecânica	roscado

MSCSM120AM08CT3AG

Módulo; díodo SiC/transístor; 1,2kV; 268A; SP3F; Press-in PCB

Especificação

A Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. é importador de produtos desta marca