VMO550-01F
Módulo; transístor individual; 100V; 590A; Y3-DCB; Idm: 2,36kA
Fabricante: IXYS
Referência do Fabricante:
VMO550-01F
Símbolo TME:
VMO550-01F
Especificação
Fabricante | IXYS | ||
Tipo de módulo semicondutor | transístor MOSFET | ||
Estrutura do semicondutor | transístor individual | ||
Tensão dreno-fonte | 100V | ||
Corrente de dreno | 590A | ||
Caixa | Y3-DCB | ||
Montagem elétrica | FASTON conectores, roscado | ||
Polarização | unipolar | ||
Resistência no estado de condução | 2,1mΩ | ||
Corrente de dreno em impulso | 2,36kA | ||
Potência dissipada | 2,2kW | ||
Tecnologia | HiPerFET™ | ||
Espécie de canal | enriquecido | ||
Carga da porta | 2µC | ||
Tempo de prontidão | 300ns | ||
Tensão descarga-fonte | ±20V | ||
Propriedades de dispositivos semicondutores | derivação Kelvin | ||
Montagem mecânica | roscado |
Peso bruto50 g
Certificados
Consulte outros produtos nesta categoria: Transistor drivers IXYS,
* VMO550-01FQuantidade de unidades (Multiplicidade: 1)
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Preço líquido para as quantidades de 1 itens - 550.27 USDPreço bruto para as quantidades de 1 itens - 550.27 USD
Preço líquido para as quantidades de 2 itens - 486.34 USDPreço bruto para as quantidades de 2 itens - 486.34 USD
Preço líquido para as quantidades de 4 itens - 437.25 USDPreço bruto para as quantidades de 4 itens - 437.25 USD