Diode de Gunn - définition
Diode de Gunn - définition
La Diode De Gunn est un dispositif semi-conducteur utilisé principalement comme source de rayonnement micro-ondes. Elle appartient au groupe des diodes de type transistor, mais son fonctionnement n'est pas basé sur la jonction p-n classique , mais sur le phénomène de résistance dynamique négative dans un semi-conducteur homogène , tel que l'arséniure de gallium (GaAs) ou le phosphure d'indium (InP). Cet effet a été décrit en 1963 par John Gunn, qui a donné son nom à l'élément.
Le phénomène de Gunn repose sur le fait que, dans certaines conditions de tension, certains porteurs de charge sont déplacés vers une bande d'énergie ayant une masse effective plus élevée, ce qui entraîne une diminution de la mobilité et l'apparition de zones de plus grande résistance - appelées domaines de champ électrique élevé. Un tel domaine se déplace à travers la structure semi-conductrice, générant des oscillations de tension avec des fréquences de plusieurs gigahertz à plusieurs dizaines de gigahertz. Ce phénomène se produit dans les structures sans jonction où des couches de dopage et des géométries de contact appropriées ont été utilisées.
Les diodes de Gunn sont utilisées dans les générateurs de micro-ondes, les radars , les systèmes de communication et les systèmes de mesure. Elles présentent l'avantage d'une conception relativement simple et d'une capacité à fonctionner sur une large bande de fréquences. Elle est souvent intégrée à un résonateur à micro-ondes pour obtenir des oscillations stables à une fréquence spécifique. En raison de ses propriétés non linéaires, cette diode n'est pas utilisée comme un élément redresseur classique, mais comme un générateur actif.
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