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メーカー | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
トランジスタータイプ | N-MOSFET | |
技術 | POWER MOS 8® | |
極性 | ユニポーラ | |
ドレインーソース電圧 | 1kV | |
ドレイン電流 | 30A | |
電力損失 | 1.04kW | |
ケース | T-Max | |
ゲートーソース電圧 | ±30V | |
ON抵抗値 | 440mΩ | |
マウント | THT | |
ゲート電荷 | 260nC | |
梱包種類 | チューブ | |
チャンネル種別 | 強化された |