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メーカー | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
トランジスタータイプ | IGBT | |
技術 | POWER MOS 8® | |
コレクターエミッター電圧 | 900V | |
コレクター電流 | 35A | |
電力損失 | 290W | |
ケース | TO247-3 | |
ゲートーエミッター電圧 | ±30V | |
パルスコレクタ電流 | 105A | |
マウント | THT | |
ゲート電荷 | 84nC | |
梱包種類 | チューブ | |
ターンオン時間 | 25ns | |
ターンオフ時間 | 298ns |