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APT35GP120B2D2G

トランジスター: IGBT; PT; 1.2kV; 46A; 543W; T-Max

メーカー: MICROCHIP TECHNOLOGY

メーカー品番:
APT35GP120B2D2G
TMEシンボル:
APT35GP120B2D2G

仕様

メーカー
MICROCHIP TECHNOLOGY
トランジスタータイプ
IGBT
技術
POWER MOS 7®, PT
コレクターエミッター電圧
1.2kV
コレクター電流
46A
電力損失
543W
ケース
T-Max
ゲートーエミッター電圧
±30V
パルスコレクタ電流
140A
マウント
THT
ゲート電荷
150nC
梱包種類
チューブ
ターンオン時間
36ns
ターンオフ時間
0.22µs
半導体部品の機能
integrated anti-parallel diode
総重量6 g
証明書

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o.は、このブランドの製品の輸入代理店です

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