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APT80GP60B2G

トランジスター: IGBT; PT; 600V; 100A; 1041W; T-Max

メーカー: MICROCHIP TECHNOLOGY

メーカー品番:
APT80GP60B2G
TMEシンボル:
APT80GP60B2G

仕様

メーカー
MICROCHIP TECHNOLOGY
トランジスタータイプ
IGBT
技術
POWER MOS 7®, PT
コレクターエミッター電圧
600V
コレクター電流
100A
電力損失
1041W
ケース
T-Max
ゲートーエミッター電圧
±20V
パルスコレクタ電流
330A
マウント
THT
ゲート電荷
280nC
梱包種類
チューブ
ターンオン時間
69ns
ターンオフ時間
233ns
総重量6 g
証明書

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