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APTC60AM45BC1G

モジュール; SiC ダイオード/トランジスター; 600V; 38A; SP1; Press-in PCB; Idm: 130A

メーカー: MICROCHIP TECHNOLOGY

メーカー品番:
APTC60AM45BC1G
TMEシンボル:
APTC60AM45BC1G

仕様

メーカー
MICROCHIP TECHNOLOGY
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
SiC ダイオード/トランジスター
ドレインーソース電圧
600V
ドレイン電流
38A
ケース
SP1
トポロジー
boost chopper, MOSFET ハーフブリッジ
電気的実装
Press-in PCB
ON抵抗値
45mΩ
パルスドレイン電流
130A
電力損失
250W
技術
CoolMOS™, SiC
ゲートーソース電圧
±20V
構造的搭載
ネジ
総重量80 g
証明書

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