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メーカー	MICROCHIP TECHNOLOGY
半導体モジュールの種類	MOSFET トランジスタ
半導体構造	SiC ダイオード/トランジスター
ドレインーソース電圧	600V
ドレイン電流	38A
ケース	SP1
トポロジー	boost chopper, MOSFET ハーフブリッジ
電気的実装	Press-in PCB
ON抵抗値	45mΩ
パルスドレイン電流	130A
電力損失	250W
技術	CoolMOS™, SiC
ゲートーソース電圧	±20V
構造的搭載	ネジ

APTC60AM45BC1G

モジュール; SiC ダイオード/トランジスター; 600V; 38A; SP1; Press-in PCB; Idm: 130A