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メーカー | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
半導体モジュールの種類 | MOSFET トランジスタ | ||
半導体構造 | SiC ダイオード/トランジスター | ||
ドレインーソース電圧 | 1kV | ||
ドレイン電流 | 110A | ||
ケース | SP6 | ||
トポロジー | シングルトランジスター+シリアルダイオード-並列ダイオード | ||
電気的実装 | スクリュー | ||
ON抵抗値 | 78mΩ | ||
パルスドレイン電流 | 580A | ||
電力損失 | 3.25kW | ||
技術 | POWER MOS 7®, SiC | ||
ゲートーソース電圧 | ±30V | ||
構造的搭載 | ネジ |