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メーカー | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
半導体モジュールの種類 | MOSFET トランジスタ | |
半導体構造 | SiC ダイオード/トランジスター | |
ドレインーソース電圧 | 1kV | |
ドレイン電流 | 110A | |
ケース | SP6 | |
トポロジー | シングルトランジスター+シリアルダイオード-並列ダイオード | |
電気的実装 | スクリュー | |
ON抵抗値 | 78mΩ | |
パルスドレイン電流 | 580A | |
電力損失 | 3.25kW | |
技術 | POWER MOS 7®, SiC | |
ゲートーソース電圧 | ±30V | |
構造的搭載 | ネジ |