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メーカー | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
半導体モジュールの種類 | MOSFET トランジスタ | ||
半導体構造 | トランジスター/トランジスター | ||
ドレインーソース電圧 | 1.2kV | ||
ドレイン電流 | 6A | ||
ケース | SP1 | ||
トポロジー | H-ブリッジ, NTCサーミスター | ||
電気的実装 | Press-in PCB | ||
ON抵抗値 | 1.68Ω | ||
パルスドレイン電流 | 50A | ||
電力損失 | 208W | ||
技術 | POWER MOS 8® | ||
ゲートーソース電圧 | ±30V | ||
構造的搭載 | ネジ |