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メーカー	MICROCHIP TECHNOLOGY
半導体モジュールの種類	MOSFET トランジスタ
半導体構造	SiC ダイオード/トランジスター
ドレインーソース電圧	1.2kV
ドレイン電流	86A
ケース	SP6
トポロジー	シングルトランジスター+シリアルダイオード-並列ダイオード
電気的実装	スクリュー
ON抵抗値	0.12Ω
パルスドレイン電流	464A
電力損失	3.29kW
技術	POWER MOS 7®, SiC
ゲートーソース電圧	±30V
構造的搭載	ネジ

APTM120U10SCAVG

モジュール; SiC ダイオード/トランジスター; 1.2kV; 86A; SP6; スクリュー; Idm: 464A; 3.29kW