B2D20120H1
ダイオード: ショットキー整流; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 1.78V; Ir: 40uA
メーカー: BASiC SEMICONDUCTOR
メーカー品番:
B2D20120H1
TMEシンボル:
B2D20120H1
仕様
メーカー | BASiC SEMICONDUCTOR | |
ダイオードタイプ | ショットキー整流 | |
技術 | SiC | |
マウント | THT | |
最大開路電圧 | 1.2kV | |
負荷電流 | 20A | |
半導体構造 | シングルダイオード | |
ケース | TO247-2 | |
最大順電圧 | 1.78V | |
最大順方向インパウル電流 | 190A | |
漏れ電流 | 40µA | |
電力損失 | 159W | |
梱包種類 | チューブ |
総重量5.85 g
証明書
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メーカーによる梱包方法チューブ = 30 個