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B2D20120HC1

ダイオード: ショットキー整流; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; Ufmax: 2V; Ir: 40uA

メーカー: BASiC SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
B2D20120HC1
TMEシンボル:
B2D20120HC1

仕様

メーカー
BASiC SEMICONDUCTOR
ダイオードタイプ
ショットキー整流
技術
SiC
マウント
THT
最大開路電圧
1.2kV
負荷電流
10A x2
半導体構造
2重, 共通カソード
ケース
TO247-3
最大順電圧
2V
最大負荷電流
20A
最大順方向インパウル電流
90A
漏れ電流
40µA
電力損失
60W
梱包種類
チューブ
総重量6.2 g
証明書

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B2D20120HC1
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メーカーによる梱包方法チューブ = 30 個