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B2M030120N

モジュール; シングル トランジスター; 1.2kV; 47A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; Idm: 151A

メーカー: BASiC SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
B2M030120N
TMEシンボル:
B2M030120N

仕様

メーカー
BASiC SEMICONDUCTOR
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
シングル トランジスター
ドレインーソース電圧
1.2kV
ドレイン電流
47A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
極性
ユニポーラ
ON抵抗値
50mΩ
パルスドレイン電流
151A
電力損失
223W
技術
SiC
チャンネル種別
強化された
ゲートーソース電圧
-4...18V
構造的搭載
ネジ
半導体部品の機能
  • integrated anti-parallel diode
  • ケルビン端子
総重量1 g
証明書

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B2M030120N
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