B2M032120Y
トランジスター: N-MOSFET; SiC; ユニポーラ; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W; 機能: ケルビン端子
メーカー: BASiC SEMICONDUCTOR
メーカー品番:
B2M032120Y
TMEシンボル:
B2M032120Y
仕様
メーカー | BASiC SEMICONDUCTOR | |
トランジスタータイプ | N-MOSFET | |
技術 | SiC | |
極性 | ユニポーラ | |
ドレインーソース電圧 | 1.2kV | |
ドレイン電流 | 60A | |
パルスドレイン電流 | 190A | |
電力損失 | 375W | |
ケース | TO247PLUS-4 | |
ゲートーソース電圧 | -4...18V | |
ON抵抗値 | 50mΩ | |
マウント | THT | |
ゲート電荷 | 40nC | |
梱包種類 | チューブ | |
チャンネル種別 | 強化された | |
半導体部品の機能 | ケルビン端子 |
総重量7.01 g
証明書
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* B2M032120Y個数 (倍数: 1)
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メーカーによる梱包方法チューブ = 30 個