B2M032120Y
トランジスター: N-MOSFET; SiC; ユニポーラ; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W; 機能: ケルビン端子
メーカー: BASiC SEMICONDUCTOR
メーカー品番:
B2M032120Y
TMEシンボル:
B2M032120Y
仕様
メーカー | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
トランジスタータイプ | N-MOSFET | ||
技術 | SiC | ||
極性 | ユニポーラ | ||
ドレインーソース電圧 | 1.2kV | ||
ドレイン電流 | 60A | ||
パルスドレイン電流 | 190A | ||
電力損失 | 375W | ||
ケース | TO247PLUS-4 | ||
ゲートーソース電圧 | -4...18V | ||
ON抵抗値 | 50mΩ | ||
マウント | THT | ||
ゲート電荷 | 40nC | ||
梱包種類 | チューブ | ||
チャンネル種別 | 強化された | ||
半導体部品の機能 | ケルビン端子 |
総重量7.01 g
証明書
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* B2M032120Y個数 (倍数: 1)
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メーカーによる梱包方法チューブ = 30 個