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B2M080120H

トランジスター: N-MOSFET; SiC; ユニポーラ; 1.2kV; 28A; Idm: 68A; 187W; TO247-3

メーカー: BASiC SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
B2M080120H
TMEシンボル:
B2M080120H

仕様

メーカー
BASiC SEMICONDUCTOR
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
SiC
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
1.2kV
ドレイン電流
28A
パルスドレイン電流
68A
電力損失
187W
ケース
TO247-3
ゲートーソース電圧
-4...18V
ON抵抗値
80mΩ
マウント
THT
ゲート電荷
46nC
梱包種類
チューブ
チャンネル種別
強化された
総重量1 g
証明書

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