BGH50N65HF1
トランジスター: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
メーカー: BASiC SEMICONDUCTOR
メーカー品番:
BGH50N65HF1
TMEシンボル:
BGH50N65HF1
仕様
メーカー | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
トランジスタータイプ | IGBT | ||
技術 | Field Stop, SiC SBD, Trench | ||
コレクターエミッター電圧 | 650V | ||
コレクター電流 | 50A | ||
電力損失 | 357W | ||
ケース | TO247-3 | ||
ゲートーエミッター電圧 | ±20V | ||
パルスコレクタ電流 | 200A | ||
マウント | THT | ||
ゲート電荷 | 308nC | ||
梱包種類 | チューブ | ||
ターンオン時間 | 54ns | ||
ターンオフ時間 | 256ns | ||
半導体部品の機能 | integrated anti-parallel diode |
総重量6.245 g
証明書
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o.は、このブランドの製品の輸入代理店です
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* BGH50N65HF1個数 (倍数: 1)
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メーカーによる梱包方法チューブ = 30 個