BGH50N65HS1
トランジスター: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
メーカー: BASiC SEMICONDUCTOR
メーカー品番:
BGH50N65HS1
TMEシンボル:
BGH50N65HS1
仕様
メーカー | BASiC SEMICONDUCTOR | |
トランジスタータイプ | IGBT | |
技術 | Field Stop, SiC SBD, Trench | |
コレクターエミッター電圧 | 650V | |
コレクター電流 | 50A | |
電力損失 | 357W | |
ケース | TO247-3 | |
ゲートーエミッター電圧 | ±20V | |
パルスコレクタ電流 | 200A | |
マウント | THT | |
ゲート電荷 | 308nC | |
梱包種類 | チューブ | |
ターンオン時間 | 54ns | |
ターンオフ時間 | 256ns | |
半導体部品の機能 | integrated anti-parallel diode |
総重量6.26 g
証明書
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o.は、このブランドの製品の輸入代理店です
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* BGH50N65HS1個数 (倍数: 1)
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在庫限りで販売終了
メーカーによる梱包方法チューブ = 30 個