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G3R20MT12N

モジュール; シングル トランジスター; 1.2kV; 74A; SOT227B; スクリュー; 極性: ユニポーラ; Idm: 240A

メーカー: GeneSiC SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
G3R20MT12N
TMEシンボル:
G3R20MT12N

仕様

メーカー
GeneSiC SEMICONDUCTOR
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
シングル トランジスター
ドレインーソース電圧
1.2kV
ドレイン電流
74A
ケース
SOT227B
電気的実装
スクリュー
極性
ユニポーラ
ON抵抗値
20mΩ
パルスドレイン電流
240A
電力損失
365W
技術
G3R™, SiC
チャンネル種別
強化された
ゲートーソース電圧
-5...15V
構造的搭載
ネジ
総重量35.39 g
証明書
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G3R20MT12N
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