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GD100HFU120C8S

モジュール: IGBT; トランジスター/トランジスター; IGBTハーフブリッジ; Urmax: 1200V; Ic: 100A

メーカー: STARPOWER SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
GD100HFU120C8S
TMEシンボル:
GD100HFU120C8S

仕様

メーカー
STARPOWER SEMICONDUCTOR
半導体モジュールの種類
IGBT
半導体構造
トランジスター/トランジスター
トポロジー
IGBTハーフブリッジ
最大開路電圧
1.2kV
コレクター電流
100A
ケース
C8 48mm
電気的実装
スクリュー, ファストン端子
ゲートーエミッター電圧
±20V
パルスコレクタ電流
200A
技術
NPT Ultra Fast IGBT
構造的搭載
ネジ
総重量200 g
証明書
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GD100HFU120C8S
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