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GD200FFY120C6S

モジュール: IGBT; トランジスター/トランジスター; IGBT 三相ブリッジ,NTCサーミスター; Urmax: 1200V

メーカー: STARPOWER SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
GD200FFY120C6S
TMEシンボル:
GD200FFY120C6S

仕様

メーカー
STARPOWER SEMICONDUCTOR
半導体モジュールの種類
IGBT
半導体構造
トランジスター/トランジスター
トポロジー
IGBT 三相ブリッジ, NTCサーミスター
最大開路電圧
1.2kV
コレクター電流
200A
ケース
C6 62mm
電気的実装
Press-in PCB
ゲートーエミッター電圧
±20V
パルスコレクタ電流
400A
技術
Advanced Trench FS IGBT
構造的搭載
ネジ
総重量300 g
証明書
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GD200FFY120C6S
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