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GD30PJX65L2S

モジュール: IGBT; ダイオード/トランジスター; boost chopper,三相ダイオードブリッジ; Ic: 30A

メーカー: STARPOWER SEMICONDUCTOR

メーカー品番:
GD30PJX65L2S
TMEシンボル:
GD30PJX65L2S

仕様

メーカー
STARPOWER SEMICONDUCTOR
半導体モジュールの種類
IGBT
半導体構造
ダイオード/トランジスター
トポロジー
boost chopper, IGBT 三相ブリッジ OE出力, NTCサーミスター, 三相ダイオードブリッジ
最大開路電圧
650V
コレクター電流
30A
ケース
L2.2
電気的実装
Press-in PCB
ゲートーエミッター電圧
±20V
パルスコレクタ電流
60A
技術
Trench FS IGBT
構造的搭載
ネジ
総重量24 g
証明書
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GD30PJX65L2S
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