IRF630
トランジスター: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; ユニポーラ; 200V; 5.7A; 75W; ESD
メーカー: STMicroelectronics
メーカー品番:
IRF630
TMEシンボル:
IRF630
仕様
メーカー | STMicroelectronics | |
トランジスタータイプ | N-MOSFET | |
技術 | MESH OVERLAY™ II | |
極性 | ユニポーラ | |
ドレインーソース電圧 | 200V | |
ドレイン電流 | 5.7A | |
電力損失 | 75W | |
ケース | TO220-3 | |
ゲートーソース電圧 | ±20V | |
ON抵抗値 | 0.4Ω | |
マウント | THT | |
梱包種類 | チューブ | |
チャンネル種別 | 強化された | |
バージョン | ESD |
総重量1.95 g
証明書
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メーカーによる梱包方法チューブ = 50 個