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メーカー	MICROCHIP TECHNOLOGY
半導体モジュールの種類	MOSFET トランジスタ
半導体構造	SiC ダイオード/トランジスター
ドレインーソース電圧	1.2kV
ドレイン電流	200A
ケース	SP6P
トポロジー	MOSFET ハーフブリッジ　x3+並列ダイオード, NTCサーミスター
電気的実装	Press-in PCB
ON抵抗値	10.4mΩ
パルスドレイン電流	500A
電力損失	1042W
技術	SiC
構造的搭載	ネジ

MSCSM120TAM11CTPAG

モジュール; SiC ダイオード/トランジスター; 1.2kV; 200A; SP6P; Press-in PCB; 1042W