+1 500 000 のオファーにある商品数

6000 個の小包が毎日発送されます

150 カ国からの +300 000 の顧客

Quick Buy お気に入り
カート

2026年08月02日の午前08:00時から午後に12:00時(CEST時間)まで、弊社ウェブサイトへのアクセスおよびオンライン注文につき、問題が発生することがあります。ご迷惑をおかけしまして申し訳ございません。

NXH010P120M3F1PG

モジュール; トランジスター/トランジスター; 1.2kV; 105A; PIM18; トポロジー: MOSFET ハーフブリッジ

メーカー: ONSEMI

メーカー品番:
NXH010P120M3F1PG
TMEシンボル:
NXH010P120M3F1PG

仕様

メーカー
ONSEMI
半導体モジュールの種類
MOSFET トランジスタ
半導体構造
トランジスター/トランジスター
ドレインーソース電圧
1.2kV
ドレイン電流
105A
ケース
PIM18
トポロジー
MOSFET ハーフブリッジ
電気的実装
Press-in PCB
ON抵抗値
24.5mΩ
パルスドレイン電流
316A
電力損失
272W
技術
SiC
ゲートーソース電圧
-10...22V
梱包種類
トレー入り
構造的搭載
ネジ
総重量100 g
証明書
このカテゴリの他の製品を見る: Transistor modules ONSEMI,
*
NXH010P120M3F1PG
0 TMEに在庫あり
個数 (倍数: 28)
特注品