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SCTL35N65G2V

トランジスター: N-MOSFET; SiC; ユニポーラ; 650V; 40A; Idm: 160A; 417W

メーカー: STMicroelectronics

メーカー品番:
SCTL35N65G2V
TMEシンボル:
SCTL35N65G2V

仕様

メーカー
STMicroelectronics
トランジスタータイプ
N-MOSFET
技術
SiC
極性
ユニポーラ
ドレインーソース電圧
650V
ドレイン電流
40A
パルスドレイン電流
160A
電力損失
417W
ケース
PowerFLAT 8x8
ゲートーソース電圧
-10...22V
ON抵抗値
67mΩ
マウント
SMD
ゲート電荷
73nC
梱包種類
テーピング, リール
チャンネル種別
強化された
総重量1 g
証明書
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SCTL35N65G2V
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