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STGAP2SICDTR

IC: driver; SiC MOSFET ゲートドライバー; SO36-W; -4÷4A; 1.2kV; Ch: 2

メーカー: STMicroelectronics

メーカー品番:
STGAP2SICDTR
TMEシンボル:
STGAP2SICDTR

仕様

メーカー
STMicroelectronics
集積回路タイプ
driver
集積回路種類
SiC MOSFET ゲートドライバー
ケース
SO36-W
出力電流
-4...4A
出力電圧
1.2kV
チャンネル数
2
IC機能
ガルバニック絶縁
マウント
SMD
動作温度範囲
-40...125°C
梱包種類
テーピング, リール
供給電圧
  • 3.1...5.5V
総重量1 g
証明書
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STGAP2SICDTR
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