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STGAP2SICS

IC: driver; SiC MOSFET ゲートドライバー; SO8-W; -4÷4A; Ch: 1; ガルバニック絶縁; 1MHz


メーカー: STMicroelectronics

メーカー品番:
STGAP2SICS
TMEシンボル:
STGAP2SICS

仕様

メーカー
STMicroelectronics
集積回路タイプ
driver
集積回路種類
SiC MOSFET ゲートドライバー
ケース
SO8-W
出力電流
-4...4A
チャンネル数
1
IC機能
ガルバニック絶縁
マウント
SMD
動作温度範囲
-40...125°C
周波数
1MHz
供給電圧
  • 3.1...5.5V
総重量0.248 g
証明書
このカテゴリの他の製品を見る: MOSFET/IGBTドライバ STMicroelectronics,
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STGAP2SICS
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メーカーによる梱包方法:チューブ = 80 個