STGAP2SICSCTR
IC: driver; SiC MOSFET ゲートドライバー; SO8-W; -4÷4A; 1.2kV; Ch: 1
メーカー: STMicroelectronics
メーカー品番:
STGAP2SICSCTR
TMEシンボル:
STGAP2SICSCTR
仕様
メーカー | STMicroelectronics | |
集積回路タイプ | driver | |
集積回路種類 | SiC MOSFET ゲートドライバー | |
ケース | SO8-W | |
出力電流 | -4...4A | |
出力電圧 | 1.2kV | |
チャンネル数 | 1 | |
IC機能 | ガルバニック絶縁 | |
マウント | SMD | |
動作温度範囲 | -40...125°C | |
梱包種類 | テーピング, リール |
供給電圧
- 3.1...5.5V
総重量1 g
証明書
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* STGAP2SICSCTR個数 (倍数: 1 000)
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